Toshiba Semiconductor and Storage - TRS6E65C,S1AQ

KEY Part #: K6454663

TRS6E65C,S1AQ 価格設定(USD) [15205個在庫]

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品番:
TRS6E65C,S1AQ
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TRS6E65C,S1AQ 製品の属性

品番 : TRS6E65C,S1AQ
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 6A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 6A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 90µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : 35pF @ 650V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2L
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

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