[12525個在庫]
- 品番:
- IRFBE20
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, パワードライバーモジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス and ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix IRFBE20 electronic components. IRFBE20 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFBE20, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRFBE20 製品の属性
品番 :
IRFBE20
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
38nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
530pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
54W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3
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