Microsemi Corporation - JANS1N5617US

KEY Part #: K6424991

JANS1N5617US 価格設定(USD) [742個在庫]

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品番:
JANS1N5617US
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

JANS1N5617US 製品の属性

品番 : JANS1N5617US
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
シリーズ : Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス : Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 1A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.6V @ 3A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 500µA @ 400V
静電容量@ Vr、F : 35pF @ 12V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ : D-5A
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 200°C

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