JANS1N5617US 価格設定（USD） [742個在庫]
- 1 pcs$62.54279
- 品番:
- JANS1N5617US
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 400V 1A D5A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的 and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation JANS1N5617US electronic components. JANS1N5617US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANS1N5617US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
JANS1N5617US 製品の属性
品番 :
JANS1N5617US
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
DIODE GEN PURP 400V 1A D5A
シリーズ :
Military, MIL-PRF-19500/427
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
400V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.6V @ 3A
速度 :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
150ns
電流-Vrでの逆漏れ :
500µA @ 400V
静電容量@ Vr、F :
35pF @ 12V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
SQ-MELF, A
サプライヤーデバイスパッケージ :
D-5A
動作温度-ジャンクション :
-65°C ~ 200°C
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