Vishay Semiconductor Diodes Division - BAS20-E3-18

KEY Part #: K6454612

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品番:
BAS20-E3-18
メーカー:
Vishay Semiconductor Diodes Division
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 625mA 50ns
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
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発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS20-E3-18 製品の属性

品番 : BAS20-E3-18
メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 : DIODE GEN PURP 150V 200MA SOT23
シリーズ : Automotive, AEC-Q101
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 150V
電流-平均整流(Io) : 200mA
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.25V @ 200mA
速度 : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
逆回復時間(trr) : 50ns
電流-Vrでの逆漏れ : 100nA @ 150V
静電容量@ Vr、F : 5pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
サプライヤーデバイスパッケージ : SOT-23
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

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