NVMFD5485NLWFT3G 価格設定（USD） [105278個在庫]
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- 品番:
- NVMFD5485NLWFT3G
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NVMFD5485NLWFT3G electronic components. NVMFD5485NLWFT3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVMFD5485NLWFT3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NVMFD5485NLWFT3G 製品の属性
品番 :
NVMFD5485NLWFT3G
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A DFN8
シリーズ :
-
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
2 N-Channel (Dual)
FET機能 :
Logic Level Gate
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
60V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
5.3A
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
44 mOhm @ 15A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
20nC @ 10V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
560pF @ 25V
パワー-最大 :
2.9W
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
サプライヤーデバイスパッケージ :
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
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