DMTH8012LPSQ-13 価格設定（USD） [153564個在庫]
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- 2,500 pcs$0.21317
- 品番:
- DMTH8012LPSQ-13
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET NCH 80V 10A POWERDI.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMTH8012LPSQ-13 electronic components. DMTH8012LPSQ-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMTH8012LPSQ-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMTH8012LPSQ-13 製品の属性
品番 :
DMTH8012LPSQ-13
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET NCH 80V 10A POWERDI
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
80V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
10A (Ta), 72A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
17 mOhm @ 12A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
46.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
2051pF @ 40V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
2.6W (Ta), 136W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerDI5060-8
パッケージ/ケース :
8-PowerTDFN
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