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ON Semiconductor - NVD5862NT4G

KEY Part #: K6415743

[28755個在庫]

    品番:
    NVD5862NT4G
    メーカー:
    ON Semiconductor
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in ON Semiconductor NVD5862NT4G electronic components. NVD5862NT4G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NVD5862NT4G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NVD5862NT4G 製品の属性

    品番 : NVD5862NT4G
    メーカー : ON Semiconductor
    説明 : MOSFET N-CH 60V 90A DPAK-4
    シリーズ : -
    部品ステータス : Active
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 60V
    電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 18A (Ta), 98A (Tc)
    駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
    Rds On（最大）@ Id、Vgs : 5.7 mOhm @ 48A, 10V
    Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
    ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 82nC @ 10V
    Vgs（最大） : ±20V
    入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 6000pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力（最大） : 4.1W (Ta), 115W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : DPAK
    パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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