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- 品番:
- IDC08S60CEX1SA3
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IDC08S60CEX1SA3 electronic components. IDC08S60CEX1SA3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDC08S60CEX1SA3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IDC08S60CEX1SA3 製品の属性
品番 :
IDC08S60CEX1SA3
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE SIC 600V 8A SAWN WAFER
シリーズ :
CoolSiC™
部品ステータス :
Obsolete
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
8A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 8A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
310pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Die
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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