Vishay Semiconductor Diodes Division - UH2B-M3/5BT

KEY Part #: K6449776

[626個在庫]


    品番:
    UH2B-M3/5BT
    メーカー:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    詳細な説明:
    DIODE GEN PURP 2A SMA.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器 and ダイオード-ツェナー-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division UH2B-M3/5BT electronic components. UH2B-M3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for UH2B-M3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    UH2B-M3/5BT 製品の属性

    品番 : UH2B-M3/5BT
    メーカー : Vishay Semiconductor Diodes Division
    説明 : DIODE GEN PURP 2A SMA
    シリーズ : -
    部品ステータス : Obsolete
    ダイオードタイプ : Standard
    電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
    電流-平均整流(Io) : 2A
    電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.05V @ 2A
    速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    逆回復時間(trr) : 35ns
    電流-Vrでの逆漏れ : 2µA @ 100V
    静電容量@ Vr、F : 42pF @ 4V, 1MHz
    取付タイプ : Surface Mount
    パッケージ/ケース : DO-214AA, SMB
    サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AA (SMB)
    動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

    あなたも興味があるかもしれません
    • CSD04060E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 4A TO252-2.

    • MMBD914LT3HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 100V 250MA SOT23.

    • MA3X70300L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • BAS16WE6433HTMA1

      Infineon Technologies

      DIODE GEN PURP 80V 250MA SOT323.

    • SDB06S60

      Infineon Technologies

      DIODE SCHOTTKY 600V 6A D2PAK.

    • CSD06060G

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 10A TO263-2.