IXFB90N85X 価格設定（USD） [3224個在庫]
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- 100 pcs$11.67562
- 品番:
- IXFB90N85X
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- 850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-整流器-アレイ and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFB90N85X electronic components. IXFB90N85X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFB90N85X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFB90N85X 製品の属性
品番 :
IXFB90N85X
メーカー :
IXYS
説明 :
850V/90A ULT JUNC X-C HIPERFET P
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
850V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
90A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
41 mOhm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
340nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
13300pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1785W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS264™
パッケージ/ケース :
TO-264-3, TO-264AA
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