ON Semiconductor - FDC30N20DZ

KEY Part #: K6396075

FDC30N20DZ 価格設定(USD) [518439個在庫]

  • 1 pcs$0.07170
  • 3,000 pcs$0.07134

品番:
FDC30N20DZ
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-IGBT-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FDC30N20DZ electronic components. FDC30N20DZ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC30N20DZ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FDC30N20DZ 製品の属性

品番 : FDC30N20DZ
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT23-6
シリーズ : -
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 30V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 4.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 4.5V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 31 mOhm @ 4.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 7.9nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 535pF @ 15V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 960mW (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : SuperSOT™-6
パッケージ/ケース : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

あなたも興味があるかもしれません