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- 品番:
- STB80NF55-08-1
- メーカー:
- STMicroelectronics
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in STMicroelectronics STB80NF55-08-1 electronic components. STB80NF55-08-1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STB80NF55-08-1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
STB80NF55-08-1 製品の属性
品番 :
STB80NF55-08-1
メーカー :
STMicroelectronics
説明 :
MOSFET N-CH 55V 80A I2PAK
シリーズ :
STripFET™ II
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
55V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
80A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
8 mOhm @ 40A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
155nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3850pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
300W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
I2PAK
パッケージ/ケース :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
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