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- 品番:
- IRG4PF50WD-201P
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- IGBT 900V 51A 200W TO247AC.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-JFET and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IRG4PF50WD-201P electronic components. IRG4PF50WD-201P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRG4PF50WD-201P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IRG4PF50WD-201P 製品の属性
品番 :
IRG4PF50WD-201P
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
IGBT 900V 51A 200W TO247AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
-
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
900V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
51A
電流-パルスコレクター（Icm） :
204A
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.7V @ 15V, 28A
パワー-最大 :
200W
スイッチングエネルギー :
2.63mJ (on), 1.34mJ (off)
入力方式 :
Standard
ゲートチャージ :
160nC
Td（オン/オフ）@ 25°C :
50ns/110ns
試験条件 :
720V, 28A, 5 Ohm, 15V
逆回復時間（trr） :
90ns
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-247-3
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247AC
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