GeneSiC Semiconductor - GC08MPS12-220

KEY Part #: K6433137

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-JFET and サイリスタ-DIAC、SIDACを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GC08MPS12-220 electronic components. GC08MPS12-220 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GC08MPS12-220, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : GC08MPS12-220

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : SIC DIODE 1200V 8A TO-220-2

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io） : 43A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.8V @ 8A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 7µA @ 1200V

静電容量@ Vr、F : 545pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Through Hole

パッケージ/ケース : TO-220-2

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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