GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-252

KEY Part #: K6452531

GB02SLT12-252 価格設定(USD) [55641個在庫]

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品番:
GB02SLT12-252
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR and ダイオード-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

GB02SLT12-252 製品の属性

品番 : GB02SLT12-252
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 1200V
電流-平均整流(Io) : 5A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.8V @ 2A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F : 131pF @ 1V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C
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