GeneSiC Semiconductor - GB02SLT12-252

KEY Part #: K6452531

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, サイリスタ-SCR and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GB02SLT12-252 electronic components. GB02SLT12-252 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GB02SLT12-252, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : GB02SLT12-252

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE SIC SCHKY 1.2KV 2A TO252

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 1200V

電流-平均整流（Io） : 5A (DC)

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.8V @ 2A

速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)

逆回復時間（trr） : 0ns

電流-Vrでの逆漏れ : 50µA @ 1200V

静電容量@ Vr、F : 131pF @ 1V, 1MHz

取付タイプ : Surface Mount

パッケージ/ケース : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

サプライヤーデバイスパッケージ : TO-252

動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 175°C

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