Microsemi Corporation - 1N5416

KEY Part #: K6441348

1N5416 価格設定(USD) [8349個在庫]

  • 1 pcs$4.39819
  • 10 pcs$3.95660
  • 25 pcs$3.60475
  • 100 pcs$3.25303
  • 250 pcs$2.98927
  • 500 pcs$2.72551

品番:
1N5416
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL. Rectifiers D MET 3A FAST 100V
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, パワードライバーモジュール and サイリスタ-SCR-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Microsemi Corporation 1N5416 electronic components. 1N5416 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5416, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5416 製品の属性

品番 : 1N5416
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 100V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.5V @ 9A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 150ns
電流-Vrでの逆漏れ : 1µA @ 100V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : B, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : -
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-HFA04SD60S-M3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 4A TO252AA. Diodes - General Purpose, Power, Switching 4A 600V Ultrafast 17ns HEXFRED

  • VS-E4PH6006L-N3

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 60A TO247AD. Rectifiers 600V 60A FRED Pt TO-247 LL 2L

  • SBLB10L25HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 25V 10A TO263AB.

  • MBRB16H35HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 16A TO263AB.

  • MBRB16H45HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 16A TO263AB.

  • MBRB10H90HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 90V 10A TO263AB.