FCA20N60-F109 価格設定（USD） [34642個在庫]
- 1 pcs$1.18972
- 品番:
- FCA20N60-F109
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-JFET, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor FCA20N60-F109 electronic components. FCA20N60-F109 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCA20N60-F109, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
FCA20N60-F109 製品の属性
品番 :
FCA20N60-F109
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
シリーズ :
SuperFET™
部品ステータス :
Not For New Designs
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
20A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
98nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
3080pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
208W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-3PN
パッケージ/ケース :
TO-3P-3, SC-65-3
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