Nexperia USA Inc. - BUK954R8-60E,127

KEY Part #: K6404293

[2061個在庫]


    品番:
    BUK954R8-60E,127
    メーカー:
    Nexperia USA Inc.
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-SCR, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in Nexperia USA Inc. BUK954R8-60E,127 electronic components. BUK954R8-60E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK954R8-60E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK954R8-60E,127 製品の属性

    品番 : BUK954R8-60E,127
    メーカー : Nexperia USA Inc.
    説明 : MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB
    シリーズ : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 60V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 5V, 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 4.5 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 2.1V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 65nC @ 5V
    Vgs(最大) : ±10V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 9710pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 234W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    取付タイプ : Through Hole
    サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220AB
    パッケージ/ケース : TO-220-3

    あなたも興味があるかもしれません
    • CPH6355-TL-H

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 3A CPH6.

    • AUIRLR024Z

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 55V 16A DPAK.

    • AUIRFR4292

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 250V 9.3A DPAK.

    • IRFR7440PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N CH 40V 90A DPAK.

    • IPA50R380CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 9.9A TO220FP.

    • IPA50R190CE

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP.