Toshiba Semiconductor and Storage - TRS12E65C,S1Q

KEY Part #: K6437279

TRS12E65C,S1Q 価格設定(USD) [7633個在庫]

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  • 10 pcs$5.10154

品番:
TRS12E65C,S1Q
メーカー:
Toshiba Semiconductor and Storage
詳細な説明:
DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-アレイ and ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター)を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TRS12E65C,S1Q 製品の属性

品番 : TRS12E65C,S1Q
メーカー : Toshiba Semiconductor and Storage
説明 : DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 12A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.7V @ 12A
速度 : No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間(trr) : 0ns
電流-Vrでの逆漏れ : 90µA @ 170V
静電容量@ Vr、F : 65pF @ 650V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220-2L
動作温度-ジャンクション : 175°C (Max)

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