GeneSiC Semiconductor - 1N1190R

KEY Part #: K6425709

詳細な説明:: DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5. Rectifiers 600V 35A REV Leads Std. Recovery

家族のカテゴリー:: KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。

競争上の優位性:: We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1190R electronic components. 1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

品番 : 1N1190R

メーカー : GeneSiC Semiconductor

説明 : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5

シリーズ : -

部品ステータス : Active

ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity

電圧-DC逆方向（Vr）（最大） : 600V

電流-平均整流（Io） : 35A

電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If : 1.2V @ 35A

速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

逆回復時間（trr） : -

電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V

静電容量@ Vr、F : -

取付タイプ : Chassis, Stud Mount

パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud

サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5

動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C

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