GeneSiC Semiconductor - 1N1190R

KEY Part #: K6425709

1N1190R 価格設定(USD) [11842個在庫]

  • 1 pcs$3.48004
  • 100 pcs$1.93533

品番:
1N1190R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5. Rectifiers 600V 35A REV Leads Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-RF and ダイオード-ブリッジ整流器を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N1190R electronic components. 1N1190R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N1190R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N1190R 製品の属性

品番 : 1N1190R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 600V 35A DO5
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 35A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.2V @ 35A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AB, DO-5, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-5
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 190°C
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