[2124個在庫]
- 品番:
- HS54095TZ-E
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, ダイオード-整流器-シングル, パワードライバーモジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-トライアック, サイリスタ-DIAC、SIDAC and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Renesas Electronics America HS54095TZ-E electronic components. HS54095TZ-E can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for HS54095TZ-E, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
HS54095TZ-E 製品の属性
品番 :
HS54095TZ-E
メーカー :
Renesas Electronics America
説明 :
MOSFET N-CH 600V 0.2A TO-92
シリーズ :
-
部品ステータス :
Last Time Buy
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
200mA (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
16.5 Ohm @ 100mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
-
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
4.8nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
66pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
750mW (Ta)
動作温度 :
150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-92-3
パッケージ/ケース :
TO-226-3, TO-92-3 Short Body
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