IXFX32N100Q3 価格設定（USD） [4186個在庫]
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- 100 pcs$9.40309
- 品番:
- IXFX32N100Q3
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFX32N100Q3 electronic components. IXFX32N100Q3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFX32N100Q3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFX32N100Q3 製品の属性
品番 :
IXFX32N100Q3
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247
シリーズ :
HiPerFET™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
32A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
320 mOhm @ 16A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 8mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
195nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
9940pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
1250W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PLUS247™-3
パッケージ/ケース :
TO-247-3
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