Infineon Technologies - IRF40H210

KEY Part #: K6419321

IRF40H210 価格設定(USD) [105172個在庫]

  • 1 pcs$0.37178
  • 4,000 pcs$0.33759

品番:
IRF40H210
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, サイリスタ-トライアック, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and ダイオード-整流器-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IRF40H210 electronic components. IRF40H210 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF40H210, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF40H210 製品の属性

品番 : IRF40H210
メーカー : Infineon Technologies
説明 : MOSFET N-CH 40V 100A PQFN5X6
シリーズ : HEXFET®, StrongIRFET™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 40V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 100A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 6V, 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 1.7 mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 3.7V @ 150µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 152nC @ 10V
Vgs(最大) : ±20V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 5406pF @ 25V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 125W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 8-PQFN (5x6)
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません