S1AFJ-M3/6B 価格設定（USD） [1160314個在庫]
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- 品番:
- S1AFJ-M3/6B
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC. Rectifiers 1A, 600V, SLIM SMA, STD GPP, SM RECT
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S1AFJ-M3/6B electronic components. S1AFJ-M3/6B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S1AFJ-M3/6B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S1AFJ-M3/6B 製品の属性
品番 :
S1AFJ-M3/6B
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 1A DO221AC
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
1A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 1A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
1.47µs
電流-Vrでの逆漏れ :
5µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
7.9pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-221AC, SMA Flat Leads
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-221AC (SlimSMA)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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