Microsemi Corporation - APTGT200DA120D3G

KEY Part #: K6533109

APTGT200DA120D3G 価格設定(USD) [1165個在庫]

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品番:
APTGT200DA120D3G
メーカー:
Microsemi Corporation
詳細な説明:
IGBT 1200V 300A 1050W D3.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, サイリスタ-トライアック and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

APTGT200DA120D3G 製品の属性

品番 : APTGT200DA120D3G
メーカー : Microsemi Corporation
説明 : IGBT 1200V 300A 1050W D3
シリーズ : -
部品ステータス : Active
IGBTタイプ : Trench Field Stop
構成 : Single
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 300A
パワー-最大 : 1050W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.1V @ 15V, 200A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 6mA
入力容量(Cies)@ Vce : 14nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : No
動作温度 : -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : D-3 Module
サプライヤーデバイスパッケージ : D3