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- 品番:
- SIDC23D60E6X1SA4
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, パワードライバーモジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション and トランジスタ-特別な目的を含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies SIDC23D60E6X1SA4 electronic components. SIDC23D60E6X1SA4 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDC23D60E6X1SA4, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIDC23D60E6X1SA4 製品の属性
品番 :
SIDC23D60E6X1SA4
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
DIODE GEN PURP 600V 50A WAFER
シリーズ :
-
部品ステータス :
Discontinued at Digi-Key
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
600V
電流-平均整流（Io） :
50A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.25V @ 50A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
27µA @ 600V
静電容量@ Vr、F :
-
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
Die
サプライヤーデバイスパッケージ :
Sawn on foil
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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