説明 :
DIODE SCHOTTKY 1.2KV 8A TO252-2
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If :
3V @ 2A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
電流-Vrでの逆漏れ :
250µA @ 1200V
静電容量@ Vr、F :
560pF @ 0V, 1MHz
パッケージ/ケース :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-252-2
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C