TSM60N600CI C0G 価格設定（USD） [104490個在庫]
- 1 pcs$0.37421
- 品番:
- TSM60N600CI C0G
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation TSM60N600CI C0G electronic components. TSM60N600CI C0G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TSM60N600CI C0G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
TSM60N600CI C0G 製品の属性
品番 :
TSM60N600CI C0G
メーカー :
Taiwan Semiconductor Corporation
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 600V 8A ITO220
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
8A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
600 mOhm @ 4A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
743pF @ 100V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
83W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
ITO-220AB
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
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