STMicroelectronics - STL13NM60N

KEY Part #: K6396721

STL13NM60N 価格設定(USD) [51970個在庫]

  • 1 pcs$0.75613
  • 3,000 pcs$0.75237

品番:
STL13NM60N
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-JFET, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STL13NM60N electronic components. STL13NM60N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STL13NM60N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STL13NM60N 製品の属性

品番 : STL13NM60N
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 10A POWERFLAT
シリーズ : MDmesh™ II
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 10A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 385 mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 30nC @ 10V
Vgs(最大) : ±30V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 790pF @ 50V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 3W (Ta), 90W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerFlat™ (8x8) HV
パッケージ/ケース : 8-PowerVDFN

あなたも興味があるかもしれません
  • FDD86540

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 50A DPAK-3.

  • STFW40N60M2

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 600V 34A TO-3PF.

  • STFW69N65M5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 650V 58A TO-3PF.

  • STFW2N105K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 1050V 2A TO-3PF.

  • STI6N95K5

    STMicroelectronics

    NCHANNEL 950V ZENER POWER MOSFET.

  • STI6N80K5

    STMicroelectronics

    MOSFET N-CH 800V 4.5A I2PAK.