Micro Commercial Co - 1N5407-TP

KEY Part #: K6450223

1N5407-TP 価格設定(USD) [472個在庫]

  • 1,200 pcs$0.02865
  • 2,400 pcs$0.02492
  • 6,000 pcs$0.02242
  • 12,000 pcs$0.01993
  • 30,000 pcs$0.01869
  • 60,000 pcs$0.01661

品番:
1N5407-TP
メーカー:
Micro Commercial Co
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD. Rectifiers Standard 800V 3A
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ, ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-特別な目的, サイリスタ-トライアック, パワードライバーモジュール, トランジスタ-IGBT-モジュール and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Micro Commercial Co 1N5407-TP electronic components. 1N5407-TP can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N5407-TP, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N5407-TP 製品の属性

品番 : 1N5407-TP
メーカー : Micro Commercial Co
説明 : DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
シリーズ : -
部品ステータス : Obsolete
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 800V
電流-平均整流(Io) : 3A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1V @ 3A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 800V
静電容量@ Vr、F : 40pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : DO-201AD, Axial
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-201AD
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • MA3D690

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 200V 5A TO220D.

  • BAS29_S00Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23.

  • BAS29_D87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23.

  • BAS19_S00Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 120V 200MA SOT23.

  • BAS21_ND87Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23.

  • BAS21_S00Z

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOT23.