IXYS - IXFV12N90PS

KEY Part #: K6406835

[1182個在庫]


    品番:
    IXFV12N90PS
    メーカー:
    IXYS
    詳細な説明:
    MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD.
    メーカーの標準リードタイム:
    在庫あり
    賞味期限:
    一年
    チップから:
    香港
    RoHS:
    支払方法:
    発送方法:
    家族のカテゴリー:
    KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-JFET, ダイオード-ブリッジ整流器, ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-SCR and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
    競争上の優位性:
    We specialize in IXYS IXFV12N90PS electronic components. IXFV12N90PS can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFV12N90PS, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    IXFV12N90PS 製品の属性

    品番 : IXFV12N90PS
    メーカー : IXYS
    説明 : MOSFET N-CH 900V 12A PLUS220SMD
    シリーズ : HiPerFET™, PolarP2™
    部品ステータス : Obsolete
    FETタイプ : N-Channel
    技術 : MOSFET (Metal Oxide)
    ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 900V
    電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
    駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
    Rds On(最大)@ Id、Vgs : 900 mOhm @ 6A, 10V
    Vgs(th)(最大)@ Id : 6.5V @ 1mA
    ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 56nC @ 10V
    Vgs(最大) : ±30V
    入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 3080pF @ 25V
    FET機能 : -
    消費電力(最大) : 380W (Tc)
    動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    取付タイプ : Surface Mount
    サプライヤーデバイスパッケージ : PLUS-220SMD
    パッケージ/ケース : PLUS-220SMD

    あなたも興味があるかもしれません
    • CPH6341-TL-E

      ON Semiconductor

      MOSFET P-CH 30V 5A CPH6.

    • VN2410LZL1G

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 240V 200MA TO-92.

    • IRLR8256PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 81A DPAK.

    • IRLR8259PBF

      Infineon Technologies

      MOSFET N-CH 25V 57A DPAK.

    • NDF08N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V 8.5A TO-220FP.

    • NDF05N50ZG

      ON Semiconductor

      MOSFET N-CH 500V TO-220FP.