STMicroelectronics - STP18N60DM2

KEY Part #: K6397379

STP18N60DM2 価格設定(USD) [31382個在庫]

  • 1 pcs$1.24277
  • 10 pcs$1.06365
  • 100 pcs$0.85476
  • 500 pcs$0.66480
  • 1,000 pcs$0.55083

品番:
STP18N60DM2
メーカー:
STMicroelectronics
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 12A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-DIAC、SIDAC, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-JFET, ダイオード-RF, ダイオード-整流器-シングル and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in STMicroelectronics STP18N60DM2 electronic components. STP18N60DM2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for STP18N60DM2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

STP18N60DM2 製品の属性

品番 : STP18N60DM2
メーカー : STMicroelectronics
説明 : MOSFET N-CH 600V 12A
シリーズ : MDmesh™ DM2
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 600V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 12A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 10V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 295 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ Id : 5V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 20nC @ 10V
Vgs(最大) : ±25V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 800pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 90W (Tc)
動作温度 : 150°C (TJ)
取付タイプ : Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ : TO-220
パッケージ/ケース : TO-220-3