IXFN44N100P 価格設定（USD） [3177個在庫]
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- 品番:
- IXFN44N100P
- メーカー:
- IXYS
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-IGBT-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in IXYS IXFN44N100P electronic components. IXFN44N100P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN44N100P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IXFN44N100P 製品の属性
品番 :
IXFN44N100P
メーカー :
IXYS
説明 :
MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227B
シリーズ :
Polar™
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
1000V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
37A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
220 mOhm @ 22A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
6.5V @ 1mA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
305nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
19000pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
890W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
SOT-227B
パッケージ/ケース :
SOT-227-4, miniBLOC
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