Infineon Technologies - IDP20E65D2XKSA1

KEY Part #: K6440299

IDP20E65D2XKSA1 価格設定(USD) [82999個在庫]

  • 1 pcs$0.47110
  • 500 pcs$0.32752

品番:
IDP20E65D2XKSA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2. Diodes - General Purpose, Power, Switching IGBT PRODUCTS
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-整流器-アレイ, サイリスタ-トライアック, ダイオード-RF and トランジスタ-FET、MOSFET-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies IDP20E65D2XKSA1 electronic components. IDP20E65D2XKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IDP20E65D2XKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IDP20E65D2XKSA1 製品の属性

品番 : IDP20E65D2XKSA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : DIODE GEN PURP 650V 40A TO220-2
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 650V
電流-平均整流(Io) : 40A (DC)
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 2.2V @ 20A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 32ns
電流-Vrでの逆漏れ : 40µA @ 650V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Through Hole
パッケージ/ケース : TO-220-2
サプライヤーデバイスパッケージ : PG-TO220-2-1
動作温度-ジャンクション : -40°C ~ 175°C

あなたも興味があるかもしれません
  • IDB30E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 50A TO263-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching FAST SWITCH EMCON DIODE 1200V 30A

  • IDB30E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 52.3A TO263.

  • ES2AHM3/5BT

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 2A DO214AA. Rectifiers 2A,50V,20NS,UF Rect,SMD

  • EGP20B-E3/54

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 2A DO204AC. Rectifiers 2.0 Amp 100 Volt

  • MBR20100

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 100V TO220AC.

  • SD175SA45A.T

    SMC Diode Solutions

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A DIE.