CDBJSC5650-G 価格設定（USD） [37862個在庫]
- 1 pcs$1.03271
- 品番:
- CDBJSC5650-G
- メーカー:
- Comchip Technology
- 詳細な説明:
- DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO. Schottky Diodes & Rectifiers SiC POWER SCHOTTKY 5A 650V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, トランジスタ-IGBT-アレイ, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアス, ダイオード-ツェナー-シングル and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Comchip Technology CDBJSC5650-G electronic components. CDBJSC5650-G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CDBJSC5650-G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CDBJSC5650-G 製品の属性
品番 :
CDBJSC5650-G
メーカー :
Comchip Technology
説明 :
DIODE SILICON CARBIDE POWER SCHO
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Silicon Carbide Schottky
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
650V
電流-平均整流（Io） :
5A (DC)
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.7V @ 5A
速度 :
No Recovery Time > 500mA (Io)
逆回復時間（trr） :
0ns
電流-Vrでの逆漏れ :
100µA @ 650V
静電容量@ Vr、F :
430pF @ 0V, 1MHz
取付タイプ :
Through Hole
パッケージ/ケース :
TO-220-2 Full Pack
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-220F
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 175°C
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