IPAW60R360P7SXKSA1 価格設定（USD） [72496個在庫]
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- 1,000 pcs$0.22396
- メーカー:
- Infineon Technologies
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-特別な目的, パワードライバーモジュール, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-IGBT-シングル, サイリスタ-SCR and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Infineon Technologies IPAW60R360P7SXKSA1 electronic components. IPAW60R360P7SXKSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPAW60R360P7SXKSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
IPAW60R360P7SXKSA1 製品の属性
品番 :
IPAW60R360P7SXKSA1
メーカー :
Infineon Technologies
説明 :
MOSFET N-CHANNEL 650V 9A TO220
シリーズ :
CoolMOS™ P7
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
650V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
360 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4V @ 140µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
13nC @ 10V
Vgs（最大） :
±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
555pF @ 400V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
22W (Tc)
動作温度 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
PG-TO220 Full Pack
パッケージ/ケース :
TO-220-3 Full Pack
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