APT11N80BC3G 価格設定（USD） [15456個在庫]
- 1 pcs$2.93506
- 10 pcs$2.62084
- 100 pcs$2.14894
- 500 pcs$1.74012
- 1,000 pcs$1.46758
- 品番:
- APT11N80BC3G
- メーカー:
- Microsemi Corporation
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 800V 11A TO-247.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, サイリスタ-DIAC、SIDAC, トランジスタ-JFET, パワードライバーモジュール and ダイオード-ツェナー-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Microsemi Corporation APT11N80BC3G electronic components. APT11N80BC3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APT11N80BC3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APT11N80BC3G 製品の属性
品番 :
APT11N80BC3G
メーカー :
Microsemi Corporation
説明 :
MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
800V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
11A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
450 mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
3.9V @ 680µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
60nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1585pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
156W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Through Hole
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-247 [B]
パッケージ/ケース :
TO-247-3
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- IXFM10N90
- AOT416L_001
- AON4407L
- SPI12N50C3HKSA1
- GP1M012A060H
- NVD4809NT4G
- UPA2735GR-E1-AT
- BSB017N03LX3 G
- IPD053N06N3GBTMA1
- IRFH5104TRPBF
- BSS308PEL6327HTSA1
- FDD6770A
- IRF7703TRPBF
- AOL1428
- IXFH13N100
- HAT2267H-EL-E
- HUF76645P3
- HUF75842S3S
- FQPF3N80CYDTU
- ZVP2110ASTOA
- GP2M002A060CG
- MTD6P10E
- SPB80N06S2-07
- IRFR9014NTRR
- IRFPC50LC
- IRL640
- IRFB9N65A
- IRFZ14
- STB5N52K3
- IPP100N12S305AKSA1
- AOV11S60
- IPS70R360P7SAKMA1
- NVMFS5C426NWFAFT3G
- BUK7Y2R0-40HX
- TK8A50D(STA4,Q,M)
- RCD050N20TL
- IPD50P04P413ATMA1
- IPD30N06S223ATMA2
- IRFR024NTRLPBF
- NX7002BKVL