GeneSiC Semiconductor - 1N3883R

KEY Part #: K6443643

1N3883R 価格設定(USD) [11866個在庫]

  • 1 pcs$3.42424
  • 10 pcs$3.08093
  • 25 pcs$2.80726
  • 100 pcs$2.53332
  • 250 pcs$2.32794
  • 500 pcs$2.12253
  • 1,000 pcs$1.84865

品番:
1N3883R
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4. Rectifiers 400V 6A REV Leads Fast Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-RF, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ブリッジ整流器 and トランジスタ-FET、MOSFET-RFを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor 1N3883R electronic components. 1N3883R can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for 1N3883R, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

1N3883R 製品の属性

品番 : 1N3883R
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 400V 6A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 400V
電流-平均整流(Io) : 6A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.4V @ 6A
速度 : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 200ns
電流-Vrでの逆漏れ : 15µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 150°C
あなたも興味があるかもしれません
  • UD0506T-TL-HX

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 600V 5A TPFA. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 5A 600V LOW VF

  • RD0504T-P-TL-H

    ON Semiconductor

    DIODE GEN PURP 400V 5A TPFA.

  • VS-65PQ015PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 15V 65A TO247AC.

  • M3045S-M3/4W

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB.

  • BAY80-TR

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 120V 250MA DO35.

  • MBRB10H35-E3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 35V 10A TO263AB.