DMT5015LFDF-7 価格設定（USD） [377634個在庫]
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- 品番:
- DMT5015LFDF-7
- メーカー:
- Diodes Incorporated
- 詳細な説明:
- MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
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- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-特別な目的, ダイオード-RF, サイリスタ-SCR-モジュール, ダイオード-整流器-アレイ and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT5015LFDF-7 electronic components. DMT5015LFDF-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT5015LFDF-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT5015LFDF-7 製品の属性
品番 :
DMT5015LFDF-7
メーカー :
Diodes Incorporated
説明 :
MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
N-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
50V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
9.1A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
4.5V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
15 mOhm @ 8A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
2V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
14nC @ 10V
Vgs（最大） :
±16V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
902.7pF @ 25V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
820mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-UDFN2020 (2x2)
パッケージ/ケース :
6-UDFN Exposed Pad
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