GeneSiC Semiconductor - S12JR

KEY Part #: K6425087

S12JR 価格設定(USD) [22785個在庫]

  • 1 pcs$1.80876
  • 200 pcs$1.36048

品番:
S12JR
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
詳細な説明:
DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4. Rectifiers 600V 12A REV Leads Std. Recovery
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, サイリスタ-SCR and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in GeneSiC Semiconductor S12JR electronic components. S12JR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S12JR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S12JR 製品の属性

品番 : S12JR
メーカー : GeneSiC Semiconductor
説明 : DIODE GEN PURP REV 600V 12A DO4
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard, Reverse Polarity
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 600V
電流-平均整流(Io) : 12A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 12A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : -
電流-Vrでの逆漏れ : 10µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : -
取付タイプ : Chassis, Stud Mount
パッケージ/ケース : DO-203AA, DO-4, Stud
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-4
動作温度-ジャンクション : -65°C ~ 175°C
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