Vishay Siliconix - SI5443DC-T1-E3

KEY Part #: K6394350

SI5443DC-T1-E3 価格設定(USD) [155712個在庫]

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品番:
SI5443DC-T1-E3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル, ダイオード-整流器-シングル, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5443DC-T1-E3 製品の属性

品番 : SI5443DC-T1-E3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET P-CH 20V 3.6A 1206-8
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : P-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 3.6A (Ta)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 65 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 600mV @ 250µA (Min)
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 14nC @ 4.5V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : -
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.3W (Ta)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : 1206-8 ChipFET™
パッケージ/ケース : 8-SMD, Flat Lead

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