NSB8MTHE3_A/I 価格設定（USD） [104538個在庫]
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- 品番:
- NSB8MTHE3_A/I
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB. Rectifiers 8A 1000V Glass Psvtd AEC-Q101 Qualified
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、サイリスタ-SCR, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-IGBT-モジュール, ダイオード-ツェナー-シングル, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-IGBT-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-シングル and トランジスタ-FET、MOSFET-アレイを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division NSB8MTHE3_A/I electronic components. NSB8MTHE3_A/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NSB8MTHE3_A/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NSB8MTHE3_A/I 製品の属性
品番 :
NSB8MTHE3_A/I
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
シリーズ :
Automotive, AEC-Q101
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
8A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.1V @ 8A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
-
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
55pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
サプライヤーデバイスパッケージ :
TO-263AB
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
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