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- 品番:
- NTLJS3180PZTBG
- メーカー:
- ON Semiconductor
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
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- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター） and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in ON Semiconductor NTLJS3180PZTBG electronic components. NTLJS3180PZTBG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTLJS3180PZTBG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
NTLJS3180PZTBG 製品の属性
品番 :
NTLJS3180PZTBG
メーカー :
ON Semiconductor
説明 :
MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-WDFN
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
20V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
3.5A (Ta)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
1.5V, 4.5V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
38 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs（th）（最大）@ Id :
1V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
19.5nC @ 4.5V
Vgs（最大） :
±8V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
1100pF @ 16V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
700mW (Ta)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
6-WDFN (2x2)
パッケージ/ケース :
6-WDFN Exposed Pad
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