S3MHE3_A/H 価格設定（USD） [363076個在庫]
- 1 pcs$0.10187
- 1,700 pcs$0.07483
- 品番:
- S3MHE3_A/H
- 詳細な説明:
- DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB. Rectifiers 3A 1000V
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-ツェナー-シングル, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, サイリスタ-SCR-モジュール and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S3MHE3_A/H electronic components. S3MHE3_A/H can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S3MHE3_A/H, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
S3MHE3_A/H 製品の属性
品番 :
S3MHE3_A/H
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
ダイオードタイプ :
Standard
電圧-DC逆方向（Vr）（最大） :
1000V
電流-平均整流（Io） :
3A
電圧-フォワード（Vf）（最大）@ If :
1.15V @ 2.5A
速度 :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間（trr） :
2.5µs
電流-Vrでの逆漏れ :
10µA @ 1000V
静電容量@ Vr、F :
60pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ :
Surface Mount
パッケージ/ケース :
DO-214AB, SMC
サプライヤーデバイスパッケージ :
DO-214AB (SMC)
動作温度-ジャンクション :
-55°C ~ 150°C
最新ニュース
あなたも興味があるかもしれません
ホットパーツ
- BAS16J/ZLF
- R7004203XXUA
- 1N4148 BK
- MBRH30040L
- VS-8ETX06STRLPBF
- 1N3292B
- V20100SHM3/4W
- RGP10D-M3/54
- RGP02-20E-M3/54
- RGP10AHM3/73
- SSB44HE3/52T
- RK 39
- CD214B-B230LF
- CD214B-B120LF
- CD214A-B220LF
- CDBMH2100-HF
- 1N3900R
- NSR05F30NRT5G
- UG5JT-E3/45
- FES16ATHE3/45
- DTV32F-E3/45
- 1N5401-AP
- SS3P6LHM3/86A
- SS2H9HE3/5BT
- S4PGHM3/87A
- 1N4002_NL
- UG2003-T
- SIDC32D170HX1SA3
- SIDC09D60E6YX1SA1
- JANTX1N6623
- STTA106U
- 1N5404RL
- MA2778400L
- IRKE166/14
- IRD3910R
- FR505-TP
- SE20DBHM3/I
- ES3B-M3/57T
- MUR315S M6G
- ES2A-M3/52T