Vishay Siliconix - SIB406EDK-T1-GE3

KEY Part #: K6421271

SIB406EDK-T1-GE3 価格設定(USD) [414489個在庫]

  • 1 pcs$0.08924
  • 3,000 pcs$0.08429

品番:
SIB406EDK-T1-GE3
メーカー:
Vishay Siliconix
詳細な説明:
MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-ツェナー-アレイ, サイリスタ-SCR-モジュール, トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-JFET, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ and トランジスタ-IGBT-モジュールを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Vishay Siliconix SIB406EDK-T1-GE3 electronic components. SIB406EDK-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIB406EDK-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIB406EDK-T1-GE3 製品の属性

品番 : SIB406EDK-T1-GE3
メーカー : Vishay Siliconix
説明 : MOSFET N-CH 20V 6A SC-75-6
シリーズ : TrenchFET®
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン(Vdss) : 20V
電流-連続ドレイン(Id)@ 25°C : 6A (Tc)
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) : 2.5V, 4.5V
Rds On(最大)@ Id、Vgs : 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V
Vgs(th)(最大)@ Id : 1.4V @ 250µA
ゲート電荷(Qg)(最大)@ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs(最大) : ±12V
入力容量(Ciss)(最大)@ Vds : 350pF @ 10V
FET機能 : -
消費電力(最大) : 1.95W (Ta), 10W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : PowerPAK® SC-75-6L Single
パッケージ/ケース : PowerPAK® SC-75-6L

あなたも興味があるかもしれません