Infineon Technologies - FF150R12YT3BOMA1

KEY Part #: K6534619

FF150R12YT3BOMA1 価格設定(USD) [1887個在庫]

  • 1 pcs$22.95837

品番:
FF150R12YT3BOMA1
メーカー:
Infineon Technologies
詳細な説明:
IGBT MODULE VCES 1200V 150A.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-プログラマブルユニジャンクション, ダイオード-RF, ダイオード-ツェナー-シングル, サイリスタ-SCR, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-バイポーラ(BJT)-アレイ, トランジスタ-JFET and サイリスタ-トライアックを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Infineon Technologies FF150R12YT3BOMA1 electronic components. FF150R12YT3BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FF150R12YT3BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FF150R12YT3BOMA1 製品の属性

品番 : FF150R12YT3BOMA1
メーカー : Infineon Technologies
説明 : IGBT MODULE VCES 1200V 150A
シリーズ : -
部品ステータス : Not For New Designs
IGBTタイプ : -
構成 : 2 Independent
電圧-コレクターエミッターブレークダウン(最大) : 1200V
電流-コレクター(Ic)(最大) : 200A
パワー-最大 : 625W
Vce(on)(最大)@ Vge、IC : 2.15V @ 15V, 150A
電流-コレクターのカットオフ(最大) : 1mA
入力容量(Cies)@ Vce : 10.5nF @ 25V
入力 : Standard
NTCサーミスタ : Yes
動作温度 : -40°C ~ 125°C
取付タイプ : Chassis Mount
パッケージ/ケース : Module
サプライヤーデバイスパッケージ : Module

あなたも興味があるかもしれません
  • VS-CPV364M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 13A IMS-2.

  • VS-CPV362M4FPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 8.8A 23W IMS-2.

  • VS-CPV364M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV363M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4KPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.

  • VS-CPV362M4UPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    MOD IGBT 3PHASE INV 600V SIP.