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- 品番:
- VS-GT100TP120N
- 詳細な説明:
- IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-IGBT-アレイ, パワードライバーモジュール, ダイオード-ブリッジ整流器, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル, トランジスタ-FET、MOSFET-アレイ, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-特別な目的 and トランジスタ-バイポーラ（BJT）-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT100TP120N electronic components. VS-GT100TP120N can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VS-GT100TP120N, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
VS-GT100TP120N 製品の属性
品番 :
VS-GT100TP120N
メーカー :
Vishay Semiconductor Diodes Division
説明 :
IGBT 1200V 180A 652W INT-A-PAK
シリーズ :
-
部品ステータス :
Obsolete
IGBTタイプ :
Trench
構成 :
Half Bridge
電圧-コレクターエミッターブレークダウン（最大） :
1200V
電流-コレクター（Ic）（最大） :
180A
パワー-最大 :
652W
Vce（on）（最大）@ Vge、IC :
2.35V @ 15V, 100A
電流-コレクターのカットオフ（最大） :
5mA
入力容量（Cies）@ Vce :
12.8nF @ 30V
入力 :
Standard
NTCサーミスタ :
No
動作温度 :
175°C (TJ)
取付タイプ :
Chassis Mount
パッケージ/ケース :
INT-A-PAK (3 + 4)
サプライヤーデバイスパッケージ :
INT-A-PAK
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