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ON Semiconductor - FCB36N60NTM

KEY Part #: K6397537

FCB36N60NTM 価格設定（USD） [23780個在庫]

  • 1 pcs$1.74172
  • 800 pcs$1.73305
品番:
FCB36N60NTM
メーカー:
ON Semiconductor
詳細な説明:
MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK.
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-RF, ダイオード-整流器-アレイ, ダイオード-ツェナー-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-特別な目的, トランジスタ-JFET, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ and トランジスタ-プログラマブルユニジャンクションを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in ON Semiconductor FCB36N60NTM electronic components. FCB36N60NTM can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FCB36N60NTM, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FCB36N60NTM 製品の属性

品番 : FCB36N60NTM
メーカー : ON Semiconductor
説明 : MOSFET N-CH 600V 36A D2PAK
シリーズ : SupreMOS™
部品ステータス : Active
FETタイプ : N-Channel
技術 : MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） : 600V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C : 36A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） : 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs : 90 mOhm @ 18A, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id : 4V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs : 112nC @ 10V
Vgs（最大） : ±30V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds : 4785pF @ 100V
FET機能 : -
消費電力（最大） : 312W (Tc)
動作温度 : -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ : Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ : D²PAK
パッケージ/ケース : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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