SIA485DJ-T1-GE3 価格設定（USD） [412515個在庫]
- 1 pcs$0.08966
- 品番:
- SIA485DJ-T1-GE3
- メーカー:
- Vishay Siliconix
- 詳細な説明:
- MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A.
- メーカーの標準リードタイム:
- 在庫あり
- 賞味期限:
- 一年
- チップから:
- 香港
- RoHS:
- 支払方法:
-
- 発送方法:
- 家族のカテゴリー:
- KEY Components Co.、LTDは、トランジスタ-FET、MOSFET-RF, サイリスタ-DIAC、SIDAC, サイリスタ-SCR, ダイオード-可変容量（バリキャップ、バラクター）, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-アレイ、プリバイアス, トランジスタ-IGBT-モジュール, トランジスタ-バイポーラ（BJT）-RF and ダイオード-整流器-シングルを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
- 競争上の優位性:
- We specialize in Vishay Siliconix SIA485DJ-T1-GE3 electronic components. SIA485DJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA485DJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SIA485DJ-T1-GE3 製品の属性
品番 :
SIA485DJ-T1-GE3
メーカー :
Vishay Siliconix
説明 :
MOSFET P-CHANNEL 150V 1.6A
シリーズ :
-
部品ステータス :
Active
FETタイプ :
P-Channel
技術 :
MOSFET (Metal Oxide)
ソース電圧へのドレイン（Vdss） :
150V
電流-連続ドレイン（Id）@ 25°C :
1.6A (Tc)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン） :
6V, 10V
Rds On（最大）@ Id、Vgs :
2.6 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs（th）（最大）@ Id :
4.5V @ 250µA
ゲート電荷（Qg）（最大）@ Vgs :
6.3nC @ 10V
Vgs（最大） :
±20V
入力容量（Ciss）（最大）@ Vds :
155pF @ 75V
FET機能 :
-
消費電力（最大） :
15.6W (Tc)
動作温度 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ :
Surface Mount
サプライヤーデバイスパッケージ :
PowerPAK® SC-70-6 Single
パッケージ/ケース :
PowerPAK® SC-70-6
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