Taiwan Semiconductor Corporation - S2AA R3G

KEY Part #: K6445402

S2AA R3G 価格設定(USD) [1303251個在庫]

  • 1 pcs$0.02838

品番:
S2AA R3G
メーカー:
Taiwan Semiconductor Corporation
詳細な説明:
DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC. Rectifiers 1.5A, 50V, GLASS PASSIVATED SMA RECTIFIER
メーカーの標準リードタイム:
在庫あり
賞味期限:
一年
チップから:
香港
RoHS:
支払方法:
発送方法:
家族のカテゴリー:
KEY Components Co.、LTDは、ダイオード-整流器-アレイ, トランジスタ-IGBT-モジュール, サイリスタ-SCR, トランジスタ-FET、MOSFET-RF, トランジスタ-IGBT-シングル, ダイオード-可変容量(バリキャップ、バラクター), ダイオード-ツェナー-アレイ and トランジスタ-バイポーラ(BJT)-シングル、プリバイアスを含む製品カテゴリを提供する電子部品ディストリビュータです。
競争上の優位性:
We specialize in Taiwan Semiconductor Corporation S2AA R3G electronic components. S2AA R3G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S2AA R3G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

S2AA R3G 製品の属性

品番 : S2AA R3G
メーカー : Taiwan Semiconductor Corporation
説明 : DIODE GEN PURP 50V 1.5A DO214AC
シリーズ : -
部品ステータス : Active
ダイオードタイプ : Standard
電圧-DC逆方向(Vr)(最大) : 50V
電流-平均整流(Io) : 1.5A
電圧-フォワード(Vf)(最大)@ If : 1.1V @ 1.5A
速度 : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
逆回復時間(trr) : 1.5µs
電流-Vrでの逆漏れ : 5µA @ 50V
静電容量@ Vr、F : 30pF @ 4V, 1MHz
取付タイプ : Surface Mount
パッケージ/ケース : DO-214AC, SMA
サプライヤーデバイスパッケージ : DO-214AC (SMA)
動作温度-ジャンクション : -55°C ~ 150°C

あなたも興味があるかもしれません
  • C2D05120E

    Cree/Wolfspeed

    DIODE SCHOTTKY 1.2KV 17.5A TO252.

  • VS-20ETF04FPPBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 20A TO220FP.

  • IDB23E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 41A TO263-3.

  • IDB12E120ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 1.2KV 28A TO263-3.

  • VS-80EPS08PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 800V 80A TO247AC.

  • VS-80EPF12PBF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.2KV 80A TO247AC.